存储的另一本账：HBM 明年均价要涨 122%，缺口算到 2028 年

HBM 明年均价 3.7 美元每 Gb，收入破 2000 亿美元

高盛在 10 月 27 日举办了一场存储行业专家网络研讨会，请的是 TrendForce 的分析师。会上给出的核心测算是：2027 年 HBM 混合均价同比上涨 122%，达到每 Gb 3.7 美元，带动 HBM 行业收入同比增长超过 230%，规模突破 2000 亿美元。高盛自己的模型与之基本一致，其口径是主要供应商明年 HBM 均价涨幅 100% 到 160%。

价格内部的分化会很剧烈。HBM4 高端定价可能超过每 Gb 5 美元，低端接近 3 美元，差距取决于供应商与客户的议价结果。8 层堆叠的 HBM4 因为单位内存的基础裸片成本更高，相比 12 层产品每比特溢价预计在 5% 到 10%；HBM4E 的定价则可能大幅高于 HBM4。

卡住供给的不是资本开支，是洁净室和设备交期

这是本次最容易被忽略的一条信息差。头部厂商的资本开支计划都很积极，但 TrendForce 判断 2028 年之前难以形成有效的 DRAM 产能增量，瓶颈在洁净室空间不足与半导体设备交货周期过长。按测算，每家韩国厂商 2027 年能新增 8 万到 10 万片每月晶圆产能，而三星的新增产能预计大部分要给 HBM，传统 DRAM 的比特增长只能靠制程迁移。

设备供应可能从 2027 年下半年开始改善，新晶圆厂要到 2028 年才贡献成规模增量。这就是涨价延续到 2028 年上半年这句判断的物理来源，它不是对需求的乐观外推，而是对产线建设周期的算术。

涨幅在收窄、缺口在扩大，这两件事可以同时成立：环比涨幅被高基数和长约机制压平，但 2027 年的产能其实已经分配完毕。

长约覆盖率 60% 到 70%，稀释的是涨幅不是方向

TrendForce 预计 DRAM 均价在未来数个季度继续上行，服务器需求强劲、供给增量受限是主因，消费端疲软构成拖累。长期协议覆盖率达到 60% 到 70%，会让 2027 年的涨幅相对温和；但超出协议锁定量的增量需求仍可通过谈判以更高价格成交，定价重心依然向上。

需求结构也在变。谷歌正成为越来越重要的 HBM 需求推动方，TPU 路线带来的采购量与英伟达 GPU 路线并不完全重叠，这会把 HBM4 的收入占比推到接近六成。对下游来说结论很直接：2027 年的存储预算不能按今年的涨幅线性外推，得按涨幅收敛但绝对价格再上一台阶来算，且要把长约覆盖率当成拿到货的前提条件，而不是压价筹码。