英伟达统一 NVHBM 规格：基底裸片全交台积电 3nm，三星首次打破自产闭环

一条规格，拆掉了三星十几年的垂直整合

10 月 18 日至 19 日，韩国首尔经济日报引述产业消息人士报道，三星电子已决定在英伟达下一代定制高带宽内存 NVHBM 上，接受由台积电 3 纳米工艺代工基底裸片（Base Die）。这是三星首次在 HBM 的制造阶段与台积电合作；四年前双方只在 HBM 与 GPU 连接时的封装兼容性上有过协作。

事情的分量不在一条订单，而在它打破的模式。过去三星的 HBM 从核心裸片到承担系统半导体功能的基底裸片全部自产，是典型的交钥匙方案。美光、SK 海力士各有自己的制程规范，三家路线分散，英伟达要针对每一家分别做兼容性与性能验证，验证成本高，性能一致性也难以保证，产品迭代节奏被拖慢。

NVHBM 改了什么：内存控制器搬进基底裸片

NVHBM 是英伟达 8 月公布的定制内存方案，基于 HBM4E 架构。与标准 HBM 最大的区别，是把原本放在 GPU 上的内存控制器集成进 HBM 堆栈底部的逻辑裸片，运算芯片因此可以腾出面积。按英伟达 8 月公布的规格，相比标准 HBM4E，NVHBM 内存带宽最高提升 30%、功耗最多降低 15%，为运算芯片释放最多 25% 的裸片面积。

控制器搬进基底裸片之后，这块逻辑电路的工艺与设计权重被大幅抬升。这解释了英伟达为什么要管到别人的制造环节：它要求三星、SK 海力士、美光三家统一采用台积电 3 纳米做基底裸片，核心存储裸片统一锁定代号 1c 的第六代 DRAM 制程。制程与规格统一之后，同一份设计在不同供应商手里的结果才可能一致，逐一验证的工程负担也随之下降。

业界人士的转述很直接：三星、SK 海力士、美光三家供应商的基底裸片都走台积电 3 纳米，核心裸片都走 1c。客户定标准、供应商执行，这在存储行业过去的合作模式里并不常见。

谁在让步，谁在收租

三星的让步有代价，也有算盘。它现有 HBM4 的基底裸片用的是自研 4 纳米，约 50% 到 60% 的 4 纳米代工产能服务于 HBM 生产，这块业务曾直接把三星晶圆代工 2026 年的亏损同比收窄约 41%。接受台积电 3 纳米，等于把一部分价值让出去，换的是英伟达高利润 AI 供应链的入场券。

但三星没有全盘放弃。标准 HBM 产品、以及面向 AMD 等其他客户的定制 HBM，仍维持从核心裸片到基底裸片全部自产的一站式模式。同时它还在内部验证用自家晶圆代工产线生产 NVHBM 基底裸片的可行性，并把 2 纳米列为备选，以防未来需求超出台积电产能上限。

市场当天就给了反应。10 月 19 日美股夜盘，英伟达涨 1.73%、台积电涨 1.80%；费城半导体指数结束八连跌，收涨 1.61%，此前一轮累计下跌约 15.7%，是 2008 年 10 月以来最长下跌周期。另一条并行的消息是，英伟达 GTC 柏林站于 10 月 20 日至 22 日举行，黄仁勋 21 日发表主题演讲，官方把重心从卖 GPU 进一步推向卖 AI 工厂。当客户能规定存储怎么造，供应链的权力重心就已经挪了位置。